机构名称：
¥ 1.0
以及在 V GT = V GS – V TH = 200mV 时本征电压增益（AV = gm /g D ），对于具有不同尺寸（沟道长度 L 和宽度 W）的器件，工作在 300K（RT，红色）和 4.2K（LT，蓝色）。由于 gm 主要由有效迁移率 (µ eff ) [8] 决定，因此对于长 L 器件，测得的 RT 和 LT 增加了 3-5 倍，具体取决于 W。另一方面，g D 的行为由 µ eff 和沟道长度调制的组合决定。由于 gm 和 g D 都与 µ eff 成正比，因此迁移率效应不会反映在 A V 中。随着 L 在 300K 和 4.2K 时的增加，较长 L 的短沟道效应 (SCE) 的降低会改善 g D ，从而改善 AV 。我们观察到的 AV 随 T 的微小差异可以用 SHE 来解释，这将在后面讨论。对于 L = 150nm，我们测量了 LT 和 RT 处的电压增益约为 39dB，这与 FDSOI [9] 的报告值相当。
用于量子计算的 FDSOI 平台 | Quobly
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